Samsung 990 EVO Plus 1TB Disco SSD 7150MB/s NVME PCIe 4.0 NVMe 2.0 NAND
Precio:
218,99 €
Impuestos incluidos
Samsung MZ-V9S1T0, 1 TB, M.2, 7150 MB/s
Realice las tareas más rápido. El 990 EVO Plus con la última NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 7150/6300 MB/s. Archivos enormes transferencia instantánea. Características Energía fresca durante todo el día. Eficiencia optimizada rendimiento extendido. El controlador recubierto de níquel aumenta los MB/s por vatio en un 73 % logrando el mismo nivel de potencia y control térmico con un menor consumo de energía. Manténgase concentrado en el trabajo o el juego sin preocupaciones por el sobrecalentamiento o la duración de la batería. Más espacio. Más velocidad. Aproveche toda la potencia de su unidad con la tecnología TurboWrite 2.0 mejorada. Procese grandes cantidades de datos más rápido y utilice gráficos pesados ??con una región TurboWrite ampliada Software Samsung Magician. Haga que su SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento de SSD. Es una forma segura y sencilla de migrar todos ...
Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
Características técnicas
- Características - Versión NVMe: 2.0
- Características - Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Características - SDD, capacidad: 1 TB
- Características - Factor de forma de disco SSD: M.2
- Características - Interfaz: PCI Express 4.0
- Características - NVMe: Si
- Características - Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Características - Componente para: PC
- Características - Encriptación de hardware: Si
- Características - Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Características - Velocidad de lectura: 7150 MB/s
- Características - Velocidad de escritura: 6300 MB/s
- Características - Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS
- Características - Escritura aleatoria (4KB): 1350000 IOPS
- Características - Función DevSleep: Si
- Características - Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Características - Soporte TRIM: Si
- Características - Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Control de energía - Voltaje de operación: 3,3 V
- Control de energía - Consumo de energía (lectura): 4,3 W
- Control de energía - Consumo de energía (escritura): 4,2 W
- Control de energía - Consumo eléctrico promedio (lectura): 4,3 W
- Control de energía - Consumo eléctrico promedio (escritura): 4,2 W
- Control de energía - Consumo de energía (espera): 0,06 W
- Control de energía - Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 5 mW
- Peso y dimensiones - Ancho: 80,2 mm
- Peso y dimensiones - Profundidad: 2,38 mm
- Peso y dimensiones - Altura: 80,2 mm
- Peso y dimensiones - Peso: 9 g
- Empaquetado - Ancho del paquete: 145 mm
- Empaquetado - Profundidad del paquete: 100 mm
- Empaquetado - Altura del paquete: 24 mm
- Empaquetado - Peso del paquete: 68 g
- Condiciones ambientales - Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Condiciones ambientales - Golpes en funcionamiento: 1500 G
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